Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适配器 ，为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性
2023 年 12 月 28 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）与适配器USB-C PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.（伟诠电子，TWSE：2436）宣布合作推出100瓦USB-C PD电源适配器参考设计。该参考设计电路采用两家公司合作开发的系统级封装（SiP）SuperGaN®电源控制芯片WT7162RHUG24A，在准谐振反激式（QRF）拓扑中可实现92.2%的效率。
该参考设计是伟诠电子推出的第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓扑USB-C PD适配器控制板。在今年早些时候，伟诠电子发布了65瓦的适配器控制电路。两款适配器控制板采用同一个SuperGaN SiP，与竞争方案相比，客户能够以更优的成本实现100瓦产品设计，从而实现规模效益。这也表明，65瓦功率级SuperGaN SiP同样满足100瓦功率级设计的性能和散热要求。
Transphorm业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“基于氮化镓的集成电路可以简化设计，这个想法很棒，但必须“做到集成”，必须是封装内置有必需的控制器的单一集成器件。这正是伟诠电子和Transphorm的SuperGaN SiP的优势所在。我们推出的系统级封装是简单的常闭型解决方案，无需保护电路、驱动器或外部控制器。除此之外，同一颗SiP还适用于65瓦和100瓦的电源适配器。具备了这些亮点的产品和方案，才真正展示出氮化镓所固有的全面的性能优势和稳健特性。目前，只有Transphorm的SuperGaN平台能够实现。”
伟诠电子市场营销副总裁Wayne Lo指出：“伟诠电子在AC-DC电源市场的市占率正不断增长，确保为市场提供最好、最实用的解决方案，对我们来说最为重要。目前，利用氮化镓材料极具吸引力的诸多性能优势，电源适配器市场在不断创新迭代，伟诠电子要做的就是确保客户能够受益于氮化镓的这些优势——不仅在技术上受益，而且能获得更好、更全面的投资回报（ROI）。一颗SiP，既满足适配器物理设计要求，同时又适用于整个适配器系列的不同型号，这是伟诠电子、Transphorm以及客户的多方共赢。这款新发布的100瓦参考设计方案，有力地证明了我们的技术在低价位市场同样具有竞争力，而这只是起步，未来可期。”
100瓦适配器参考设计规格
伟诠电子的通用型100瓦电源适配器验证板按照USB PD 3.0 + PPS 标准设计，用于更快地开发为智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其它智能设备充电的各种扁平高性能电源适配器。主要技术规格如下：
| Specification规格
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Detail详情
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| GaN Device
氮化镓器件
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WT7162RHUG24A SuperGaN SiP
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| Topology
拓扑
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Boundary Mode PFC + Flyback Quasi-Resonant Mode/Valley-Switching Multi-mode Operation
零界模式 PFC + 反激准谐振模式 /谷底开关多模操作
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| Full Load Efficiency
满载效率
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91.2% @ 90 VAC/Full Load
91.2% @ 90 VAC/满载
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| Overall Peak Efficiency
整机峰值效率
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92.7% @ 264VAC/Full Load
92.7% @ 264VAC/满载
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| Power Density
功率密度
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15.8 W/in3 (w/o housing)
15.8 W/in3（无外壳）
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| Output Voltage Operation
输出电压协议
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USB-C PD 3.0, PPS 3.3 V - 21 V
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| No Load Power Loss
空载损耗
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< 50 mW @ 264 VAC
< 50 mW（@ 264 VAC）
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| Output Voltage and Current
输出电压和输出电流
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PPS: 3.3 V – 21 V/5 A |
| EMI Compliant
电磁兼容
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Conducted and Radiated
传导和辐射
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| Dimensions
外形尺寸
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69mm x 63mm x 23.8mm
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SuperGaN SiP：结构紧凑、成本效益高、加速产品开发
WT7162RHUG24A是一款真正的集成电路，专为应用于45至100瓦USB-C PD电源适配器而设计。该器件集成了Weltrend的WT7162RHSG08准谐振/多模反激式PWM控制器和Transphorm的240 毫欧姆、650 V SuperGaN® FET。该SiP IC是24引脚8x8 QFN封装的表面贴装器件，可实现92.2%的峰值效率。主要优势包括更高的功率密度和更好的散热性能，因此，具有更长期的可靠性，且降低BOM物料成本。如需了解更多信息，请访问：https://transphormusa.cn/en/document/weltsipbd/
供货情况
如需索取演示板和/或SiP样品，请联系Weltrend销售团队：sales@weltrend.com.tw
关于Transphorm
Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码TGAN）是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm总部位于美国加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。官网：www.transphormusa.cn 微信公众号：TransphormGaN氮化镓
关于伟诠电子
伟诠电子（TWSE：2436）成立于1989年，位于“台湾硅谷”新竹科学园区，是领先的无晶圆厂半导体公司，专门从事混合信号/数字IC产品的规划、设计、测试、应用开发和分销，产品用于电源、电机控制、图像处理等多个应用领域。官网www.weltrend.com
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