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Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件,针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线

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新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅(SiC)替代器件

                                                                                                                                      

加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 1 17 — 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装(TO-247-4L)的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻,并配有一个开尔文源极端子,以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程,该制造工艺不仅可靠性高,而且具有良好的成本效益,非常适合现有硅基生产线量产。目前,50 毫欧 TP65H050G4YS FET 已可供货,35 毫欧 TP65H035G4YS FET 正在出样,预计将于 2024 年一季度供货上市。

 

一千瓦及以上功率级的数据中心、可再生能源和各种工业应用的电源中,Transphorm 4 引脚 SuperGaN器件可作为原始设计选项,也可直接替代现有方案中的4 引脚硅基和 SiC器件。4引脚配置能够进一步提升开关性能,从而为用户提供灵活性。在硬开关同步升压型转换器中,与导通电阻相当的 SiC MOSFET相比,35 毫欧 SuperGaN 4 引脚 FET 器件在 50 千赫兹(kHz)下,损耗减少了 15%,而在 100 kHz 下的损耗则降低了 27%

 

Transphorm SuperGaN FET 器件所具有的独特优势包括:

 

·        业界领先的稳健性:+/- 20V 栅极阈值和 4 V 抗扰性。

·        更优的可设计性:减少器件周边所需电路。

·        更易于驱动:SuperGaN FET 能使用硅器件所常用的市售驱动器。

 

新发布的TO-247-4L 封装器件具有相同的稳健性、易设计性和易驱动性,其核心技术规格如下:

器件型号

Vds (V) 最小值

Rds(on)(mΩ)

Vth (V)

Id (25°C) (A) 最大值

封装

 

TP65H035G4YS

650

35

3.6

46.5

 

配有源极端子

 

TP65H050G4YS

650

50

4

35

配有源极端子

 

Transphorm 业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示:“Transphorm 将继续拓展产品线,向市场推出多样化的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。无论客户有什么样的设计需求,Transphorm都能够帮助客户充分利用SuperGaN平台的性能优势。四引脚 TO-247 封装的SuperGaN为设计人员和客户带来提供极佳的灵活性——只需在硅或碳化硅器件的系统上做极少的设计修改(或者根本不需要进行任何设计修改),就能实现更低的电源系统损耗。Transphorm正在加速进入更高功率的应用领域,新推出的这两款器件是公司产品线的一个重要补充。”

 

供货情况

如需索取 35 毫欧和 50 毫欧 TO-247-4L FET 器件样品,请联系 Transphorm 销售团队:wwsales@transphormusa.com。点击以下链接,查阅每款器件的产品资料:

 

·        TP65H035G4YS 产品数据表https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/

·        TP65H050G4YS 产品数据表:https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/

 

 

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDECAEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%Transphorm的总部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。请访问官网www.transphormusa.cn了解更多信息,欢迎关注微信公众号:TransphormGaN氮化镓

 

 

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SuperGaNTransphorm, Inc.的注册商标,所有其他商标均为其各自所有者的财产。

 

 

媒体联络:

Wai-Chun Chen

waichun.chen@gmail.com

 

 

 

投资者联络:

David Hanover Jack Perkins
KCSA战略传播

transphorm@kcsa.com  

 

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