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Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件

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SiP系列现已增至三款器件,均使用了TransphormSuperGaN,为支持新一代适配器和充电器拓展了功率等级

 

 

美国加利福尼亚州戈莱塔,中国台湾新竹 2024425 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.(伟诠电子,TWSE2436)今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件(SiP),与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起,组成首个基于 Transphorm SuperGaN® 平台的系统级封装氮化镓产品系列。

 

新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24BWT7162RHUG24C,集成了伟诠电子的高频多模(准谐振/谷底开关)反激式PWM控制器和Transphorm150毫欧和480毫欧SuperGaN FET。与上一款240毫欧器件(WT7162RHUG24A)相同,两款全新器件与USB PD或可编程电源适配器控制器配对即可提供整体适配器解决方案。值得注意的是,它们还可提供更多创新功能,包括UHV谷底跟踪充电模式、自适应OCP补偿和自适应绿色模式控制等,使客户能够使用更少的器件、最精简的设计方案,更快地设计出高质量的电源产品。

 

伟诠电子市场推广副总裁Wayne Lo表示:“去年,我们推出了首款SiP氮化镓器件,这是伟诠电子发展历程中的一个重要里程碑。对于AC-DC电源产品市场,SiP氮化镓器件代表了一种全新的进入市场策略(Go-To-Market Strategy)。今天发布的新产品表明,我们将继续为该应用领域提供更多的器件选择,支持更广泛的产品功率级。基于 Transphorm SuperGaN平台并采用整体封装解决方案,可以为从30瓦低功率USB-C PD电源适配器到接近200瓦功率充电器的各种装置提供更易设计的高性能电源,这是 Transphorm氮化镓器件的独特之处。”

 

终端产品制造商想方设法开发物料(BOM)成本更低、但同时又具备灵活、快速充电、和更高功率输出的新型适配器。此外,针对许多应用场景,制造商还希望提供具有多个端口和/或多种连接类型的更为通用的充电器。而所有这些方案,产品外形都要做到更小、更轻。

 

Transphorm常闭型d-mode SuperGaN 技术平台的主要优势包括:同类最佳的稳固性(+/-20V的栅极裕度和4V的抗扰性)及可靠性(FIT失效率<0.05),且功率密度比硅器件高50%。伟诠电子精简的SiP设计,利用了上述GaN器件优势以及自身的创新技术,打造出一款近乎即插即用的解决方案,缩小外形尺寸的同时,加快设计速度。

 

Transphorm全球销售及FAE副总裁 Tushar Dhayagude 表示:“从适配器和充电器制造商的需求考虑,SiP可以成为重要的器件选项。不仅能满足系统电源转换效率的要求,而且功能集成,器件更易使用,从而在最短的时间内可设计出产品。伟诠电子此前推出的首款器件验证了SuperGaN SiP的性能和灵活性。本次发布新款器件,表明了我们两家公司在深化并实践为客户提供更多选择的承诺。”


 

产品规格

 

 

WT7162RHUG24A

WT7162RHUG24B(新)

WT7162RHUG24C(新)

Rds(on)

240 mΩ

150 mΩ

480 mΩ

Vds min

650 V

Power Efficiency

功率效率

> 93%

Power Density

功率密度

26 w/in3

Max Frequency

最大频率

180 kHz

Wide Output Voltage Operation宽输出电压操作

USB-C PD 3.0

PPS 3.3V~21V

Package

封装

 

24-pin 8x8 QFN

 

主要特点

 

特点

优势

可调的 GaN FET 栅极转换速率控制

可以兼顾效率和电磁兼容

不需要外部 VDD 线性稳压器电路(700 V 超高压启动电流直接取自交流线路电压)

减少了元器件数量

减小了封装电感

最大限度提升了芯片性能

采用标准 8x8 QFN FF 封装

系统占用空间更低更小

 

 

目标应用和供货情况

伟诠电子 SuperGaN SiP系列特别适用在用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、头戴式耳机、无人机、扬声器、相机等移动/物联网设备等的轻薄、高性能的USB-C电源适配器。

 

器件规格详见产品数据表:

·        WT7162RHUG24A (240 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/610

·        WT7162RHUG24B (150 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/633

·        WT7162RHUG24C (480 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/634

 

新推出的两款器件(WT7162RHUG24B WT7162RHUG24C)现已开始提供测试样品。请联系 Weltrend 销售团队:sales@weltrend.com.tw获取更多信息。

 

 

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDECAEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%Transphorm的总部位于美国加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。

官网:www.transphormusa.cn,欢迎关注微信公众号:TransphormGaN氮化镓

 

 

关于伟诠电子

伟诠电子(TWSE2436)成立于1989年,位于台湾硅谷新竹科学园区,是领先的无晶圆厂半导体公司,专长于混合信号/数字集成电路产品的规划、设计、测试、应用开发和分销,产品用于电源、电机控制、图像处理等多个应用领域。官网www.weltrend.com

 

 

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SuperGaNTransphorm, Inc.的注册商标,所有其他商标均为其各自所有者的财产。

 

 

媒体联系

Wai-Chun Chen

waichun.chen@gmail.com

 

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